Beim Verfahren der Augsburg Diamond Technology GmbH wird einkristalliner Diamant mittels chemischer Gasphasenabscheidung auf einem Fremdsubstrat (Heteroepitaxie) abgeschieden. Im Gegensatz zum weit verbreiteten Konzept der Homoepitaxie, bei der bereits ein Diamant geeigneter Größe als Saatkristall verfügbar sein muss, kommt bei dem neuen Verfahren das Schichtsystem Ir/YSZ/Si als Unterlage für das Wachstum zum Einsatz. Damit ist es erstmals möglich Diamant in einkristalliner Form auf Scheiben mit einem Durchmesser bis zu 100 mm zu synthetisieren.